沟槽氧化层和沟槽栅的制备方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011454720.7

申请日：

2020-12-10

公开(公告)号：

CN112635315A

公开(公告)日：

2021-04-09

发明(设计)人：

李诚瞻罗烨辉郑昌伟赵艳黎丁杰钦焦莎莎罗海辉

申请人：

申请人地址：

412001 湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L29423 H01L2951

代理机构：

北京聿宏知识产权代理有限公司 11372

代理人：

吴大建;金淼

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20201210
2021-04-09	公开	公开

共 50 条

[1]

沟槽氧化层和沟槽栅的制备方法及半导体器件 [P].

李诚瞻 ;

罗烨辉 ;

郑昌伟 ;

赵艳黎 ;

丁杰钦 ;

焦莎莎 ;

罗海辉 .

中国专利 :CN112635315B ,2024-05-28

[2]

SiC沟槽氧化层和SiC MOSFET沟槽栅的制备方法及SiC MOSFET器件 [P].

郑昌伟 ;

刘坤 ;

施剑华 ;

焦莎莎 ;

刘启军 ;

丁杰钦 ;

赵艳黎 ;

周正东 .

中国专利 :CN113054014A ,2021-06-29

[3]

沟槽型功率器件栅氧化层的制备方法 [P].

李理 ;

马万里 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN104810268A ,2015-07-29

[4]

沟槽栅半导体器件及其制造方法 [P].

杨继业 ;

赵龙杰 ;

李昊 .

中国专利 :CN110739347A ,2020-01-31

[5]

沟槽、沟槽栅的形成方法及半导体器件 [P].

张国鑫 .

中国专利 :CN120813018A ,2025-10-17

[6]

半导体器件的制备方法及屏蔽栅沟槽器件 [P].

冯冰 ;

张建栋 ;

贺腾飞 .

中国专利 :CN114582717A ,2022-06-03

[7]

半导体器件的制备方法及屏蔽栅沟槽器件 [P].

冯冰 ;

张建栋 ;

贺腾飞 .

中国专利 :CN114582717B ,2025-12-05

[8]

包含沟槽栅的半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

吴栋华 ;

石新欢 .

中国专利 :CN113903794A ,2022-01-07

[9]

栅氧化层及其制备方法和半导体器件 [P].

丁文波 ;

叶甜春 ;

罗军 ;

赵杰 ;

王云 .

中国专利 :CN113707548A ,2021-11-26

[10]

沟槽栅半导体器件的制造方法 [P].

汪莹萍 ;

缪进征 .

中国专利 :CN104465349B ,2015-03-25

← 1 2 3 4 5 →