半导体器件的制备方法及屏蔽栅沟槽器件

被引：0

申请号：

CN202011377002.4

申请日：

2020-11-30

公开(公告)号：

CN114582717A

公开(公告)日：

2022-06-03

发明(设计)人：

冯冰张建栋贺腾飞

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

姚姝娅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20201130
2022-06-03	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的制备方法及屏蔽栅沟槽器件 [P].

冯冰 ;

张建栋 ;

贺腾飞 .

中国专利 :CN114582717B ,2025-12-05

[2]

包含沟槽栅的半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

吴栋华 ;

石新欢 .

中国专利 :CN113903794A ,2022-01-07

[3]

屏蔽栅沟槽型半导体器件的制造方法 [P].

顾昊元 ;

蔡晨 ;

李亮 .

中国专利 :CN114023652A ,2022-02-08

[4]

具有屏蔽栅沟槽的半导体器件的制造方法 [P].

黄艳 .

中国专利 :CN112133637A ,2020-12-25

[5]

沟槽栅半导体器件的制造方法 [P].

汪莹萍 ;

缪进征 .

中国专利 :CN104465349B ,2015-03-25

[6]

具有屏蔽栅沟槽结构的半导体器件及其制造方法 [P].

李艳旭 .

中国专利 :CN112133759A ,2020-12-25

[7]

具有屏蔽栅沟槽结构的半导体器件及其制造方法 [P].

沈新林 ;

任洪 ;

陈一 ;

丛茂杰 .

中国专利 :CN112509980B ,2021-03-16

[8]

带有屏蔽栅沟槽MOS的半导体器件及其制造方法 [P].

张蕾 ;

齐笑 ;

王文强 ;

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN118280840A ,2024-07-02

[9]

具有屏蔽栅沟槽结构的半导体器件及其制造方法 [P].

沈新林 ;

任洪 ;

陈一 ;

丛茂杰 .

中国专利 :CN112509979B ,2021-03-16

[10]

半导体器件的沟槽隔离制备方法以及半导体器件 [P].

王秀金 ;

习艳军 ;

陈勇树 .

中国专利 :CN117976607A ,2024-05-03

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