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半导体器件的沟槽隔离制备方法以及半导体器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410358777.9
申请日：
2024-03-27
公开(公告)号：
CN117976607A
公开(公告)日：
2024-05-03
发明(设计)人：
王秀金
习艳军
陈勇树
申请人：
粤芯半导体技术股份有限公司
申请人地址：
510000 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
IPC主分类号：
H01L21/762
IPC分类号：
H01L21/763
H01L21/308
H01L21/311
代理机构：
北京泽方誉航专利代理事务所(普通合伙) 11884
代理人：
陈照辉
法律状态：
授权
国省代码：
广东省
广州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-06-21 | 授权 | 授权 |
| 2024-05-21 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/762申请日:20240327 |
| 2024-05-03 | 公开 | 公开 |