提供沟槽隔离的方法以及半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011465464.1
申请日
2020-12-14
公开(公告)号
CN113851420A
公开(公告)日
2021-12-28
发明(设计)人
陈重磊 陈钲欣 丁中捷 林哲毅 李承宗
申请人
申请人地址
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
IPC主分类号
H01L21762
IPC分类号
代理机构
南京正联知识产权代理有限公司 32243
代理人
王素琴
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件的沟槽隔离制备方法以及半导体器件 [P]. 
王秀金 ;
习艳军 ;
陈勇树 .
中国专利 :CN117976607A ,2024-05-03
[2]
半导体器件的沟槽隔离制备方法以及半导体器件 [P]. 
王秀金 ;
习艳军 ;
陈勇树 .
中国专利 :CN117976607B ,2024-06-21
[3]
沟槽隔离结构、具有该结构的半导体器件以及沟槽隔离方法 [P]. 
朴泰绪 ;
朴文汉 ;
朴暻媛 ;
李汉信 .
中国专利 :CN1194400C ,2001-05-02
[4]
制造半导体器件的沟槽隔离的方法 [P]. 
申东石 ;
郑镛国 .
中国专利 :CN1913123A ,2007-02-14
[5]
浅沟槽隔离结构的制作方法以及半导体器件 [P]. 
宋化龙 .
中国专利 :CN103456675A ,2013-12-18
[6]
沟槽隔离结构及半导体器件 [P]. 
林仕杰 ;
江文湧 .
中国专利 :CN208738212U ,2019-04-12
[7]
浅沟槽隔离形成方法以及半导体器件制造方法 [P]. 
徐强 .
中国专利 :CN102709226A ,2012-10-03
[8]
具有隔离沟槽的半导体器件 [P]. 
菲尔·鲁特 ;
伊恩·卡尔肖 ;
史蒂文·皮克 .
中国专利 :CN103151352B ,2013-06-12
[9]
应力隔离沟槽半导体器件 [P]. 
尹海洲 ;
骆志炯 ;
朱慧珑 .
中国专利 :CN202651086U ,2013-01-02
[10]
包括隔离沟槽的半导体器件及其制造方法 [P]. 
姜盛泽 ;
韩晶昱 ;
朴成佑 .
中国专利 :CN1862784A ,2006-11-15