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提供沟槽隔离的方法以及半导体器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011465464.1
申请日
:
2020-12-14
公开(公告)号
:
CN113851420A
公开(公告)日
:
2021-12-28
发明(设计)人
:
陈重磊
陈钲欣
丁中捷
林哲毅
李承宗
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
IPC主分类号
:
H01L21762
IPC分类号
:
代理机构
:
南京正联知识产权代理有限公司 32243
代理人
:
王素琴
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-01-14
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20201214
2021-12-28
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体器件的沟槽隔离制备方法以及半导体器件
[P].
王秀金
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
粤芯半导体技术股份有限公司
粤芯半导体技术股份有限公司
王秀金
;
习艳军
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
粤芯半导体技术股份有限公司
粤芯半导体技术股份有限公司
习艳军
;
陈勇树
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
粤芯半导体技术股份有限公司
粤芯半导体技术股份有限公司
陈勇树
.
中国专利
:CN117976607A
,2024-05-03
[2]
半导体器件的沟槽隔离制备方法以及半导体器件
[P].
王秀金
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
粤芯半导体技术股份有限公司
粤芯半导体技术股份有限公司
王秀金
;
习艳军
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
粤芯半导体技术股份有限公司
粤芯半导体技术股份有限公司
习艳军
;
陈勇树
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
粤芯半导体技术股份有限公司
粤芯半导体技术股份有限公司
陈勇树
.
中国专利
:CN117976607B
,2024-06-21
[3]
沟槽隔离结构、具有该结构的半导体器件以及沟槽隔离方法
[P].
朴泰绪
论文数:
0
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0
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朴泰绪
;
朴文汉
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0
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朴文汉
;
朴暻媛
论文数:
0
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0
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0
朴暻媛
;
李汉信
论文数:
0
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0
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0
李汉信
.
中国专利
:CN1194400C
,2001-05-02
[4]
制造半导体器件的沟槽隔离的方法
[P].
申东石
论文数:
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申东石
;
郑镛国
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0
郑镛国
.
中国专利
:CN1913123A
,2007-02-14
[5]
浅沟槽隔离结构的制作方法以及半导体器件
[P].
宋化龙
论文数:
0
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0
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0
宋化龙
.
中国专利
:CN103456675A
,2013-12-18
[6]
沟槽隔离结构及半导体器件
[P].
林仕杰
论文数:
0
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0
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林仕杰
;
江文湧
论文数:
0
引用数:
0
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0
江文湧
.
中国专利
:CN208738212U
,2019-04-12
[7]
浅沟槽隔离形成方法以及半导体器件制造方法
[P].
徐强
论文数:
0
引用数:
0
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0
徐强
.
中国专利
:CN102709226A
,2012-10-03
[8]
具有隔离沟槽的半导体器件
[P].
菲尔·鲁特
论文数:
0
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菲尔·鲁特
;
伊恩·卡尔肖
论文数:
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伊恩·卡尔肖
;
史蒂文·皮克
论文数:
0
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0
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0
史蒂文·皮克
.
中国专利
:CN103151352B
,2013-06-12
[9]
应力隔离沟槽半导体器件
[P].
尹海洲
论文数:
0
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尹海洲
;
骆志炯
论文数:
0
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骆志炯
;
朱慧珑
论文数:
0
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0
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0
朱慧珑
.
中国专利
:CN202651086U
,2013-01-02
[10]
包括隔离沟槽的半导体器件及其制造方法
[P].
姜盛泽
论文数:
0
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0
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姜盛泽
;
韩晶昱
论文数:
0
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韩晶昱
;
朴成佑
论文数:
0
引用数:
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朴成佑
.
中国专利
:CN1862784A
,2006-11-15
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