应力隔离沟槽半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201190000098.0

申请日：

2011-01-27

公开(公告)号：

CN202651086U

公开(公告)日：

2013-01-02

发明(设计)人：

尹海洲骆志炯朱慧珑

申请人：

申请人地址：

100029 中国北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

逯长明;王宝筠

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20110127 授权公告日:20130102 终止日期:20190127
2013-01-02	授权	授权

共 50 条

[1]

应力隔离沟槽半导体器件及其形成方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102456576A ,2012-05-16

[2]

应力隔离沟槽半导体器件的形成方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102456577B ,2012-05-16

[3]

具有隔离沟槽的半导体器件 [P].

菲尔·鲁特 ;

伊恩·卡尔肖 ;

史蒂文·皮克 .

中国专利 :CN103151352B ,2013-06-12

[4]

沟槽隔离结构及半导体器件 [P].

林仕杰 ;

江文湧 .

中国专利 :CN208738212U ,2019-04-12

[5]

半导体器件的沟槽隔离制备方法以及半导体器件 [P].

王秀金 ;

习艳军 ;

陈勇树 .

中国专利 :CN117976607A ,2024-05-03

[6]

半导体器件的沟槽隔离制备方法以及半导体器件 [P].

王秀金 ;

习艳军 ;

陈勇树 .

中国专利 :CN117976607B ,2024-06-21

[7]

浅沟槽隔离结构和半导体器件 [P].

朱梦娜 .

中国专利 :CN208819860U ,2019-05-03

[8]

浅沟槽隔离结构及半导体器件 [P].

朱贤士 ;

黄德浩 ;

周运帆 ;

许耀光 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN110379764B ,2024-05-03

[9]

浅沟槽隔离结构及半导体器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN209401612U ,2019-09-17

[10]

浅沟槽隔离结构及半导体器件 [P].

朱贤士 ;

黄德浩 ;

周运帆 ;

许耀光 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN110379764A ,2019-10-25

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