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浅沟槽隔离结构和半导体器件
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201821502360.1
申请日：
2018-09-12
公开(公告)号：
CN208819860U
公开(公告)日：
2019-05-03
发明(设计)人：
朱梦娜
申请人：
申请人地址：
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号：
H01L21762
IPC分类号：
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
智云
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-05-03 | 授权 | 授权 |