共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
沟槽隔离结构、具有该结构的半导体器件以及沟槽隔离方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN00134717.9
申请日：
2000-10-12
公开(公告)号：
CN1194400C
公开(公告)日：
2001-05-02
发明(设计)人：
朴泰绪
朴文汉
朴暻媛
李汉信
申请人：
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H01L2176
IPC分类号：
代理机构：
北京市柳沈律师事务所
代理人：
王志森
法律状态：
授权
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2005-03-23 | 授权 | 授权 |
| 2002-12-25 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2020-10-30 | 专利权的终止 | 专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/76 申请日:20001012 授权公告日:20050323 |
| 2002-11-20 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2001-05-02 | 公开 | 公开 |
| 2012-04-18 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101333527214 IPC(主分类):H01L 21/76 专利号:ZL001347179 变更事项:专利权人 变更前权利人:三星电子株式会社 变更后权利人:莫塞德技术公司 变更事项:地址 变更前权利人:韩国京畿道 变更后权利人:加拿大安大略省 登记生效日:20120313 |
| 2014-11-05 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101706925860 IPC(主分类):H01L 21/76 专利号:ZL001347179 变更事项:专利权人 变更前:莫塞德技术公司 变更后:考文森智财管理公司 变更事项:地址 变更前:加拿大安大略省 变更后:加拿大安大略省 |