屏蔽栅沟槽型半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111249957.6

申请日：

2021-10-26

公开(公告)号：

CN114023652A

公开(公告)日：

2022-02-08

发明(设计)人：

顾昊元蔡晨李亮

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20211026
2022-02-08	公开	公开

共 50 条

[1]

具有屏蔽栅沟槽的半导体器件的制造方法 [P].

黄艳 .

中国专利 :CN112133637A ,2020-12-25

[2]

沟槽栅半导体器件的制造方法 [P].

汪莹萍 ;

缪进征 .

中国专利 :CN104465349B ,2015-03-25

[3]

屏蔽栅沟槽型半导体器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

朱晨凯 ;

杨卓 ;

周锦程 ;

刘晶晶 .

中国专利 :CN113471278A ,2021-10-01

[4]

具有屏蔽栅沟槽结构的半导体器件及其制造方法 [P].

李艳旭 .

中国专利 :CN112133759A ,2020-12-25

[5]

具有屏蔽栅沟槽结构的半导体器件及其制造方法 [P].

沈新林 ;

任洪 ;

陈一 ;

丛茂杰 .

中国专利 :CN112509980B ,2021-03-16

[6]

具有屏蔽栅沟槽结构的半导体器件及其制造方法 [P].

沈新林 ;

任洪 ;

陈一 ;

丛茂杰 .

中国专利 :CN112509979B ,2021-03-16

[7]

带有屏蔽栅沟槽MOS的半导体器件及其制造方法 [P].

张蕾 ;

齐笑 ;

王文强 ;

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN118280840A ,2024-07-02

[8]

半导体器件的制备方法及屏蔽栅沟槽器件 [P].

冯冰 ;

张建栋 ;

贺腾飞 .

中国专利 :CN114582717A ,2022-06-03

[9]

半导体器件的制备方法及屏蔽栅沟槽器件 [P].

冯冰 ;

张建栋 ;

贺腾飞 .

中国专利 :CN114582717B ,2025-12-05

[10]

屏蔽栅沟槽型MOS器件及其制造方法 [P].

王登 ;

徐西贤 ;

阚志国 .

中国专利 :CN117790292A ,2024-03-29

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