栅间氧化层的形成方法和屏蔽栅沟槽型器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110314486.6

申请日：

2021-03-24

公开(公告)号：

CN113013028A

公开(公告)日：

2021-06-22

发明(设计)人：

陈莉芬周颖魏雪娇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

周耀君

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-22	公开	公开
2021-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20210324

共 50 条

[1]

栅间氧化层的形成方法和屏蔽栅沟槽型器件的形成方法 [P].

陈莉芬 ;

魏雪娇 ;

周颖 .

中国专利 :CN113013027A ,2021-06-22

[2]

栅间氧化层的形成方法及屏蔽栅沟槽型器件的形成方法 [P].

陈莉芬 ;

周颖 ;

谢朝军 ;

刘宇 .

中国专利 :CN114068688B ,2024-05-03

[3]

栅间氧化层的形成方法及屏蔽栅沟槽型器件的形成方法 [P].

陈莉芬 ;

周颖 ;

谢朝军 ;

刘宇 .

中国专利 :CN114068688A ,2022-02-18

[4]

栅间氧化层的形成方法及屏蔽栅沟槽型器件的形成方法 [P].

陈莉芬 ;

周颖 ;

刘宇 ;

谢朝军 .

中国专利 :CN114068687A ,2022-02-18

[5]

屏蔽栅-深沟槽MOSFET的屏蔽栅氧化层及其形成方法 [P].

陈正嵘 .

中国专利 :CN105702736B ,2016-06-22

[6]

屏蔽栅沟槽型器件的形成方法 [P].

严强生 ;

任媛媛 ;

崔燕雯 ;

陈宏 .

中国专利 :CN118398497A ,2024-07-26

[7]

屏蔽栅器件的形成方法 [P].

李秀然 ;

惠亚妮 ;

汪渊源 ;

闫坦 .

中国专利 :CN120692869A ,2025-09-23

[8]

屏蔽栅器件及其形成方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN117976527A ,2024-05-03

[9]

栅氧化层的形成方法 [P].

赵旭东 ;

余晴 ;

唐怡 .

中国专利 :CN113223947A ,2021-08-06

[10]

栅氧化层的形成方法 [P].

万波 ;

常延武 ;

李强 .

中国专利 :CN103824771A ,2014-05-28

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