屏蔽栅器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510888198.X

申请日：

2025-06-27

公开(公告)号：

CN120692869A

公开(公告)日：

2025-09-23

发明(设计)人：

李秀然惠亚妮汪渊源闫坦

申请人：

上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/60 H10D64/01 H10D64/27

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

周耀君

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250627
2025-09-23	公开	公开

共 50 条

[1]

屏蔽栅器件及其形成方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN117976527A ,2024-05-03

[2]

屏蔽栅MOSFET器件及形成方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN119092412A ,2024-12-06

[3]

栅间氧化层的形成方法和屏蔽栅沟槽型器件的形成方法 [P].

陈莉芬 ;

周颖 ;

魏雪娇 .

中国专利 :CN113013028A ,2021-06-22

[4]

屏蔽栅MOSFET的形成方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN117912954A ,2024-04-19

[5]

屏蔽栅MOSFET的形成方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN117912953A ,2024-04-19

[6]

栅间氧化层的形成方法及屏蔽栅沟槽型器件的形成方法 [P].

陈莉芬 ;

周颖 ;

谢朝军 ;

刘宇 .

中国专利 :CN114068688B ,2024-05-03

[7]

栅间氧化层的形成方法及屏蔽栅沟槽型器件的形成方法 [P].

陈莉芬 ;

周颖 ;

刘宇 ;

谢朝军 .

中国专利 :CN114068687A ,2022-02-18

[8]

栅间氧化层的形成方法及屏蔽栅沟槽型器件的形成方法 [P].

陈莉芬 ;

周颖 ;

谢朝军 ;

刘宇 .

中国专利 :CN114068688A ,2022-02-18

[9]

栅间氧化层的形成方法和屏蔽栅沟槽型器件的形成方法 [P].

陈莉芬 ;

魏雪娇 ;

周颖 .

中国专利 :CN113013027A ,2021-06-22

[10]

屏蔽栅MOSFET的形成方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN117912955A ,2024-04-19

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