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屏蔽栅MOSFET的形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410205216.5
申请日：
2024-02-23
公开(公告)号：
CN117912953A
公开(公告)日：
2024-04-19
发明(设计)人：
颜树范
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
IPC主分类号：
H01L21/336
IPC分类号：
H01L29/06
H01L29/423
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
郑星
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-04-19 | 公开 | 公开 |
| 2024-05-07 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20240223 |