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屏蔽栅MOSFET器件及形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411204854.1
申请日：
2024-08-29
公开(公告)号：
CN119092412A
公开(公告)日：
2024-12-06
发明(设计)人：
颜树范
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
IPC主分类号：
H01L21/336
IPC分类号：
H01L29/78
H01L29/423
H01L29/06
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
赵素香
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-12-06 | 公开 | 公开 |
| 2024-12-24 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20240829 |