具有底部厚氧化层的沟槽栅MOS结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201921343908.7

申请日：

2019-08-19

公开(公告)号：

CN210926025U

公开(公告)日：

2020-07-03

发明(设计)人：

钱振华张艳旺

申请人：

申请人地址：

214063 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10栋207

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L29423

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-03	授权	授权

共 50 条

[1]

具有底部厚氧化层的沟槽栅MOS结构和制作工艺 [P].

钱振华 ;

张艳旺 .

中国专利 :CN110400847A ,2019-11-01

[2]

制作底部厚栅氧化层沟槽MOS的工艺方法 [P].

金勤海 ;

沈浩峰 ;

袁秉荣 .

中国专利 :CN103094117A ,2013-05-08

[3]

双层栅沟槽MOS结构中形成底部氧化层的方法 [P].

李陆萍 ;

丛茂杰 ;

金勤海 .

中国专利 :CN102610522A ,2012-07-25

[4]

一种具有渐变氧化层的屏蔽栅MOS结构 [P].

钱振华 ;

吴宗宪 ;

王宇澄 .

中国专利 :CN207474468U ,2018-06-08

[5]

用选择性外延制作底部厚栅氧化层沟槽MOS的工艺方法 [P].

金勤海 ;

杨川 ;

许凯强 .

中国专利 :CN103094074A ,2013-05-08

[6]

具有阶梯深槽屏蔽栅MOS结构 [P].

钱振华 ;

张艳旺 .

中国专利 :CN211404508U ,2020-09-01

[7]

一种具有底部厚氧结构的FS型IGBT [P].

徐承福 ;

白玉明 ;

张海涛 .

中国专利 :CN206401322U ,2017-08-11

[8]

沟槽式功率器件中沟槽底部厚栅氧化层的形成方法 [P].

冯大贵 .

中国专利 :CN102456561A ,2012-05-16

[9]

一种具有阶梯形氧化层的屏蔽栅MOS结构 [P].

钱振华 ;

吴宗宪 ;

王宇澄 .

中国专利 :CN207441706U ,2018-06-01

[10]

一种具有渐变氧化层的屏蔽栅MOS结构 [P].

钱振华 ;

吴宗宪 ;

王宇澄 .

中国专利 :CN107634093A ,2018-01-26

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