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具有底部厚氧化层的沟槽栅MOS结构和制作工艺
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910765354.8
申请日：
2019-08-19
公开(公告)号：
CN110400847A
公开(公告)日：
2019-11-01
发明(设计)人：
钱振华
张艳旺
申请人：
申请人地址：
214063 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10栋207
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2906
H01L29423
代理机构：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104
代理人：
曹祖良
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2019-11-01 | 公开 | 公开 |
| 2019-11-26 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20190819 |