共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
具有阶梯深槽屏蔽栅MOS结构和制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910765345.9
申请日：
2019-08-19
公开(公告)号：
CN110400846B
公开(公告)日：
2024-12-20
发明(设计)人：
钱振华
张艳旺
申请人：
无锡橙芯微电子科技有限公司
申请人地址：
214063 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10栋207
IPC主分类号：
H01L29/78
IPC分类号：
H01L29/423
H01L21/336
代理机构：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104
代理人：
曹祖良
法律状态：
授权
国省代码：
江苏省
无锡市
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-12-20 | 授权 | 授权 |