采用屏蔽栅的超结MOSFET结构和制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910765366.0

申请日：

2019-08-19

公开(公告)号：

CN110391302A

公开(公告)日：

2019-10-29

发明(设计)人：

钱振华张艳旺

申请人：

申请人地址：

214063 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A10栋207

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L29423 H01L2906 H01L23552 H01L21336

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-29	公开	公开
2019-11-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20190819

共 50 条

[1]

采用屏蔽栅的超结MOSFET结构和制作方法 [P].

钱振华 ;

张艳旺 .

中国专利 :CN110391302B ,2024-07-23

[2]

采用屏蔽栅的超结MOSFET结构 [P].

钱振华 ;

张艳旺 .

中国专利 :CN210926026U ,2020-07-03

[3]

具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET和制作方法 [P].

钱振华 ;

张艳旺 .

中国专利 :CN110459612A ,2019-11-15

[4]

超结MOSFET的制作方法 [P].

马万里 ;

刘竹 .

中国专利 :CN104810290A ,2015-07-29

[5]

超结MOSFET的制作方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105845576A ,2016-08-10

[6]

具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET [P].

钱振华 ;

张艳旺 .

中国专利 :CN210429829U ,2020-04-28

[7]

多次外延制作的超结屏蔽栅结构IGBT [P].

廖巍 ;

张海涛 .

中国专利 :CN213845279U ,2021-07-30

[8]

沟槽栅超结MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐承福 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN107591453A ,2018-01-16

[9]

一种半封闭式屏蔽栅IEGT器件结构及其制作方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

华凌飞 .

中国专利 :CN109244128B ,2024-03-12

[10]

一种半封闭式屏蔽栅IEGT器件结构及其制作方法 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

华凌飞 .

中国专利 :CN109244128A ,2019-01-18

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