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一种半封闭式屏蔽栅IEGT器件结构及其制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811332631.8
申请日：
2018-11-09
公开(公告)号：
CN109244128A
公开(公告)日：
2019-01-18
发明(设计)人：
朱袁正 叶鹏 华凌飞
申请人：
申请人地址：
214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号（与华清路交叉口）无锡（滨湖）国家信息传感中心-B1楼东侧2楼
IPC主分类号：
H01L29739
IPC分类号：
H01L2906 H01L29423
代理机构：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104
代理人：
曹祖良
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-01-18 公开 公开
2019-02-19 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/739 申请日:20181109
共 50 条
[1]
一种半封闭式屏蔽栅IEGT器件结构及其制作方法 [P]. 
朱袁正 ;
叶鹏 ;
华凌飞 .
中国专利 :CN109244128B ,2024-03-12
[2]
一种半封闭式屏蔽栅IEGT器件结构 [P]. 
朱袁正 ;
叶鹏 ;
华凌飞 .
中国专利 :CN208819888U ,2019-05-03
[3]
一种结合屏蔽栅的SJ MOS器件结构及其制作方法 [P]. 
吴宗宪 ;
陈彦豪 .
中国专利 :CN110690272A ,2020-01-14
[4]
一种沟槽栅IGBT器件结构及其制作方法 [P]. 
许高潮 ;
薛璐 ;
张海涛 .
中国专利 :CN109461769B ,2024-03-12
[5]
一种沟槽栅IGBT器件结构及其制作方法 [P]. 
许高潮 ;
薛璐 ;
张海涛 .
中国专利 :CN109461769A ,2019-03-12
[6]
采用屏蔽栅的超结MOSFET结构和制作方法 [P]. 
钱振华 ;
张艳旺 .
中国专利 :CN110391302B ,2024-07-23
[7]
采用屏蔽栅的超结MOSFET结构和制作方法 [P]. 
钱振华 ;
张艳旺 .
中国专利 :CN110391302A ,2019-10-29
[8]
一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法 [P]. 
颜树范 .
中国专利 :CN114975099B ,2025-08-19
[9]
具有浮岛结构的高压屏蔽栅MOSFET和制作方法 [P]. 
钱振华 ;
张艳旺 .
中国专利 :CN110459612A ,2019-11-15
[10]
屏蔽栅沟槽型器件结构及其制作方法 [P]. 
邱立军 ;
卫乐平 ;
王丽 ;
马栋 ;
张继亮 .
中国专利 :CN120812990A ,2025-10-17
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