具有体内场板结构的VDMOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710039708.1

申请日：

2017-01-19

公开(公告)号：

CN107068758A

公开(公告)日：

2017-08-18

发明(设计)人：

任敏李佳驹林育赐罗蕾谢驰李泽宏张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2940

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢;葛启函

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-18	公开	公开
2020-04-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20170818
2017-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101747166768 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2017100397081 申请日:20170119

共 50 条

[1]

具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

叶力 ;

方冬 ;

林祺 ;

李珂 ;

胡云鹤 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109119476A ,2019-01-01

[2]

具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法 [P].

章文通 ;

叶力 ;

方冬 ;

李珂 ;

林祺 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109326639A ,2019-02-12

[3]

VDMOS器件的制作方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN107170682A ,2017-09-15

[4]

沟槽型VDMOS器件的制备方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN106298891A ,2017-01-04

[5]

一种新型结构的VDMOS器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN203288599U ,2013-11-13

[6]

一种减小输入电容的VDMOS器件结构 [P].

刘文辉 .

中国专利 :CN204130545U ,2015-01-28

[7]

一种VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105225952A ,2016-01-06

[8]

VDMOS器件的制作方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN104299907A ,2015-01-21

[9]

VDMOS器件的制作方法 [P].

赵圣哲 .

中国专利 :CN107342224A ,2017-11-10

[10]

VDMOS器件的形成方法 [P].

季康 .

中国专利 :CN120417424A ,2025-08-01

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