一种减小输入电容的VDMOS器件结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420532042.5

申请日：

2014-09-16

公开(公告)号：

CN204130545U

公开(公告)日：

2015-01-28

发明(设计)人：

刘文辉

申请人：

申请人地址：

710065 陕西省西安市电子二路61号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司 61200

代理人：

蔡和平

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20140916 授权公告日:20150128 终止日期:20170916
2015-01-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种新型结构的VDMOS器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 .

中国专利 :CN203288599U ,2013-11-13

[2]

低电容的沟槽型VDMOS器件 [P].

夏亮 ;

完颜文娟 ;

杨科 .

中国专利 :CN211017087U ,2020-07-14

[3]

一种低栅电容VDMOS功率器件 [P].

王新 .

中国专利 :CN202159670U ,2012-03-07

[4]

一种低压VDMOS器件 [P].

张国光 ;

王自鑫 ;

郭建平 ;

邱晓辉 ;

张顺 ;

姚剑锋 ;

严向阳 .

中国专利 :CN206236675U ,2017-06-09

[5]

一种减小开关时间的VDMOS器件版图结构 [P].

白朝辉 .

中国专利 :CN203910811U ,2014-10-29

[6]

一种VDMOS器件的制作方法及VDMOS器件 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105225952A ,2016-01-06

[7]

一种有效减小电容的功率MOSFET器件 [P].

陆怀谷 .

中国专利 :CN204885172U ,2015-12-16

[8]

具有体内场板结构的VDMOS器件 [P].

任敏 ;

李佳驹 ;

林育赐 ;

罗蕾 ;

谢驰 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN107068758A ,2017-08-18

[9]

一种高耐压VDMOS器件 [P].

姚剑锋 ;

王自鑫 ;

郭建平 ;

邱晓辉 ;

张顺 ;

张国光 ;

严向阳 .

中国专利 :CN206116408U ,2017-04-19

[10]

一种屏蔽栅沟槽VDMOS器件 [P].

单亚东 ;

胡丹 ;

谢刚 .

中国专利 :CN220692030U ,2024-03-29

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