一种低导通电阻MOS器件及制备工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011105801.6

申请日：

2020-10-15

公开(公告)号：

CN112436057B

公开(公告)日：

2021-03-02

发明(设计)人：

郑超陈敏欧新华袁琼孙春明戴维符志岗刘宗金

申请人：

申请人地址：

200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29417 H01L21336

代理机构：

上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343

代理人：

徐海晟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-02	公开	公开
2021-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20201015

共 50 条

[1]

具有低导通电阻的MOS器件 [P].

拉维尚卡尔·克里沙姆尔斯 ;

塞哈特·苏塔迪嘉 .

中国专利 :CN101911301B ,2010-12-08

[2]

一种低导通电阻分立器件及低导通电阻分立器件制备方法 [P].

王川 ;

熊育飞 ;

黎钟磬 ;

丁来建 .

中国专利 :CN119630039A ,2025-03-14

[3]

一种低导通电阻沟槽功率MOS器件结构及其制备方法 [P].

李雪梅 ;

陈一 ;

蒋正洋 .

中国专利 :CN106449753A ,2017-02-22

[4]

低导通电阻的横向MOS器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN202423297U ,2012-09-05

[5]

一种低导通电阻的横向MOS器件 [P].

胥超 ;

陈智 ;

刘宏森 .

中国专利 :CN222462889U ,2025-02-11

[6]

横向扩散型低导通电阻MOS器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN103280455A ,2013-09-04

[7]

横向扩散型低导通电阻MOS器件 [P].

陈伟元 .

中国专利 :CN203242638U ,2013-10-16

[8]

具有低导通电阻的MOS器件的几何图形 [P].

塞哈特·苏塔迪嘉 ;

拉维尚卡尔·克里沙姆尔斯 .

中国专利 :CN102709285B ,2012-10-03

[9]

具有低导通电阻的MOS器件的几何图形 [P].

塞哈特·苏塔迪嘉 ;

拉维尚卡尔·克里沙姆尔斯 .

中国专利 :CN101657901B ,2010-02-24

[10]

低导通电阻大功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN207624705U ,2018-07-17

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