一种低导通电阻沟槽功率MOS器件结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610553642.3

申请日：

2016-07-14

公开(公告)号：

CN106449753A

公开(公告)日：

2017-02-22

发明(设计)人：

李雪梅陈一蒋正洋

申请人：

申请人地址：

401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

俞涤炯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-22	公开	公开
2019-02-05	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/78 变更事项:申请人变更前:中航（重庆）微电子有限公司变更后:华润微电子（重庆）有限公司变更事项:地址变更前:401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号变更后:401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号
2020-07-03	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20170222
2017-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101708707617 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2016105536423 申请日:20160714
2019-03-08	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/78 变更事项:申请人变更前:华润微电子（重庆）有限公司变更后:华润微电子（重庆）有限公司变更事项:地址变更前:401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号变更后:401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号

共 50 条

[1]

低导通电阻大功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN207624705U ,2018-07-17

[2]

具有低导通电阻沟槽MOSFET器件及其制备方法 [P].

葛伟 ;

丁磊 ;

滕支刚 .

中国专利 :CN121078772A ,2025-12-05

[3]

一种低导通电阻MOS器件及制备工艺 [P].

郑超 ;

陈敏 ;

欧新华 ;

袁琼 ;

孙春明 ;

戴维 ;

符志岗 ;

刘宗金 .

中国专利 :CN112436057B ,2021-03-02

[4]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN207852683U ,2018-09-11

[5]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072B ,2024-02-02

[6]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072A ,2018-10-12

[7]

一种低导通电阻沟槽式MOSFET结构及其制备方法 [P].

杨国江 ;

赖信彰 ;

于世珩 .

中国专利 :CN111354725B ,2020-06-30

[8]

一种低导通电阻MOSFET器件结构 [P].

张海峰 ;

宋宁 ;

朱小燕 ;

刘中梦雪 .

中国专利 :CN117727783A ,2024-03-19

[9]

低导通电阻沟槽型功率半导体器件的制备方法 [P].

胡盖 ;

夏华秋 ;

夏华忠 ;

黄传伟 ;

李健 ;

诸建周 .

中国专利 :CN112838010A ,2021-05-25

[10]

低导通电阻半导体功率器件及其制备方法 [P].

李科 ;

杨同同 ;

苟学鑫 ;

张文鑫 ;

曹学文 ;

颜天才 ;

杨列勇 ;

陈为玉 .

中国专利 :CN118943006A ,2024-11-12

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