一种高压低导通电阻LDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010523557.5

申请日：

2010-10-28

公开(公告)号：

CN102005480A

公开(公告)日：

2011-04-06

发明(设计)人：

方健吴琼乐陈吕赟王泽华蒋辉管超柏文斌黎莉杨毓俊

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

电子科技大学专利中心 51203

代理人：

周永宏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101072505709 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010105235575 申请日:20101028
2011-04-06	公开	公开
2012-05-09	授权	授权
2016-12-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101692966252 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2010105235575 申请日:20101028 授权公告日:20120509 终止日期:20151028

共 50 条

[1]

一种超低比导通电阻的LDMOS器件及其制造方法 [P].

易波 ;

伍争 .

中国专利 :CN113394298A ,2021-09-14

[2]

一种低导通电阻高压SOI LDMOS功率器件及其制备方法 [P].

赵承杰 ;

周炳 .

中国专利 :CN119677138A ,2025-03-21

[3]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 ;

石晶 ;

刘冬华 ;

段文婷 ;

胡君 .

中国专利 :CN103839998B ,2014-06-04

[4]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072B ,2024-02-02

[5]

一种低导通电阻的沟槽MOSFET器件及其制造方法 [P].

殷允超 ;

周祥瑞 .

中国专利 :CN108649072A ,2018-10-12

[6]

一种射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN103050536B ,2013-04-17

[7]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

石晶 .

中国专利 :CN106298935A ,2017-01-04

[8]

一种具有低导通电阻高耐压的LDMOS器件 [P].

李泽宏 ;

罗蕾 ;

杨梦琦 ;

谢驰 ;

李佳驹 ;

任敏 ;

高巍 ;

张金平 ;

张波 .

中国专利 :CN107452805A ,2017-12-08

[9]

高压LDMOS器件及其制造方法 [P].

张帅 ;

刘坤 .

中国专利 :CN102543738A ,2012-07-04

[10]

低导通电阻的SGT器件及其制造方法 [P].

罗光美 ;

蔡晓晴 ;

卢光远 ;

陈天 ;

肖莉 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN118538768A ,2024-08-23

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