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LDMOS器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910830811.7
申请日：
2019-09-03
公开(公告)号：
CN110718585A
公开(公告)日：
2020-01-21
发明(设计)人：
艾瑞克·布劳恩
乔伊·迈克格雷格
郑志星
申请人：
申请人地址：
611731 四川省成都市成都高新综合保税区科新路8号成都芯源系统有限公司
IPC主分类号：
H01L2940
IPC分类号：
H01L29417
H01L2978
H01L21336
H01L2128
代理机构：
代理人：
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-02-21 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20190903 |
| 2020-01-21 | 公开 | 公开 |