RF LDMOS器件及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210188969.7

申请日：

2012-06-08

公开(公告)号：

CN103035678A

公开(公告)日：

2013-04-10

发明(设计)人：

李娟娟慈朋亮钱文生韩峰董金珠

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2936

IPC分类号：

H01L2978 H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

王江富

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-19	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101692490336 IPC(主分类):H01L 29/36 专利申请号:2012101889697 变更事项:申请人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140120
2015-04-08	授权	授权
2013-04-10	公开	公开
2013-05-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101452524267 IPC(主分类):H01L 29/36 专利申请号:2012101889697 申请日:20120608

共 50 条

[1]

RF LDMOS器件及制造方法 [P].

李娟娟 ;

钱文生 ;

韩峰 ;

慈朋亮 .

中国专利 :CN103050532B ,2013-04-17

[2]

RF LDMOS器件及制造方法 [P].

李娟娟 ;

慈朋亮 ;

钱文生 ;

韩峰 ;

董金珠 .

中国专利 :CN103050531A ,2013-04-17

[3]

RF LDMOS器件及制造方法 [P].

李娟娟 ;

肖胜安 ;

钱文生 ;

韩峰 ;

慈朋亮 .

中国专利 :CN103035681A ,2013-04-10

[4]

LDMOS器件的制造方法及LDMOS器件 [P].

王清钢 .

中国专利 :CN120379288A ,2025-07-25

[5]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN108878533A ,2018-11-23

[6]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN111540785A ,2020-08-14

[7]

开关LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN111554579A ,2020-08-18

[8]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN103035729A ,2013-04-10

[9]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

周正良 .

中国专利 :CN105047716B ,2015-11-11

[10]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

李娟娟 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104538441B ,2015-04-22

← 1 2 3 4 5 →