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LDMOS器件及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010453206.5
申请日：
2020-05-25
公开(公告)号：
CN111653621A
公开(公告)日：
2020-09-11
发明(设计)人：
刘俊文
陈华伦
申请人：
申请人地址：
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2940
H01L21336
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
罗雅文
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-09-11 | 公开 | 公开 |
| 2020-10-13 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200525 |
| 2022-07-01 | 发明专利申请公布后的撤回 | 发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20200911 |