LDMOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711344090.6

申请日：

2017-12-15

公开(公告)号：

CN109935633B

公开(公告)日：

2019-06-25

发明(设计)人：

肖胜安

申请人：

申请人地址：

518057 广东省深圳市南山区高新区中区科丰路2号特发信息港B栋601-602单元

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-25	公开	公开
2019-07-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20171215
2022-07-08	授权	授权

共 50 条

[1]

开关LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN111554579A ,2020-08-18

[2]

LDMOS器件 [P].

张磊 ;

向泱 .

中国专利 :CN102169903A ,2011-08-31

[3]

射频LDMOS器件 [P].

蔡莹 ;

周正良 .

中国专利 :CN105374879A ,2016-03-02

[4]

集成双纵向沟道SOI LDMOS器件单元 [P].

张海鹏 ;

许生根 ;

陈波 ;

李浩 .

中国专利 :CN102097482A ,2011-06-15

[5]

一种超低比导通电阻的LDMOS器件及其制造方法 [P].

易波 ;

伍争 .

中国专利 :CN113394298A ,2021-09-14

[6]

LDMOS器件 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN107819026B ,2018-03-20

[7]

一种具有阶梯型沟槽的LDMOS器件 [P].

任敏 ;

林育赐 ;

谢驰 ;

李佳驹 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN107546274A ,2018-01-05

[8]

集成纵向沟道SOI LDMOS器件单元 [P].

张海鹏 ;

张亮 ;

苏步春 ;

张帆 ;

刘国华 ;

徐丽燕 .

中国专利 :CN201374335Y ,2009-12-30

[9]

N型LDMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 ;

刘冬华 ;

胡君 ;

段文婷 .

中国专利 :CN105140289A ,2015-12-09

[10]

一种集成双纵向沟道SOI LDMOS器件单元 [P].

张海鹏 ;

许生根 ;

陈波 ;

李浩 .

中国专利 :CN201946602U ,2011-08-24

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