一种具有阶梯型沟槽的LDMOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710726672.4

申请日：

2017-08-22

公开(公告)号：

CN107546274A

公开(公告)日：

2018-01-05

发明(设计)人：

任敏林育赐谢驰李佳驹李泽宏张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢;葛启函

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-05	公开	公开
2018-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20170822
2020-01-17	授权	授权

共 50 条

[1]

一种具有多沟槽的LDMOS器件 [P].

李泽宏 ;

王志明 ;

程然 ;

蒲小庆 ;

胡汶金 ;

任敏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN111640787A ,2020-09-08

[2]

一种沟槽栅型的LDMOS器件及其制造方法 [P].

张日林 ;

刘文虎 ;

张拥华 .

中国专利 :CN117878158A ,2024-04-12

[3]

一种具有P型横向变掺杂区的高压RESURF LDMOS器件 [P].

秦玉香 ;

张冰莹 ;

陈亮 .

中国专利 :CN112397567A ,2021-02-23

[4]

一种具有埋氧场板的SOI LDMOS器件 [P].

王颖 ;

王祎帆 ;

于成浩 ;

曹菲 .

中国专利 :CN105932062B ,2016-09-07

[5]

一种具有HVBN结构的RESURF LDMOS器件 [P].

秦玉香 ;

张冰莹 ;

陈亮 .

中国专利 :CN112349778A ,2021-02-09

[6]

一种具有S型折叠沟道的Triple RESURF LDMOS器件 [P].

陈伟中 ;

严仪欣 ;

秦嘉玲 ;

曾祥伟 ;

吴傲 .

中国专利 :CN118763111A ,2024-10-11

[7]

一种具有场限环结构的RESURF LDMOS器件 [P].

秦玉香 ;

张冰莹 ;

陈亮 .

中国专利 :CN112349764A ,2021-02-09

[8]

一种沟槽型MOSFET器件 [P].

梁嘉进 ;

管浩 ;

伍震威 ;

单建安 .

中国专利 :CN223297941U ,2025-09-02

[9]

一种沟槽型MOSFET器件 [P].

梁嘉进 ;

管浩 ;

伍震威 ;

单建安 .

中国专利 :CN119421450A ,2025-02-11

[10]

一种具有N型与P型双重变掺杂顶层区的高压RESURF LDMOS器件 [P].

秦玉香 ;

张冰莹 ;

陈亮 .

中国专利 :CN112397568A ,2021-02-23

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