一种具有HVBN结构的RESURF LDMOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910730097.4

申请日：

2019-08-08

公开(公告)号：

CN112349778A

公开(公告)日：

2021-02-09

发明(设计)人：

秦玉香张冰莹陈亮

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214

代理人：

王秀奎

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-09	公开	公开
2021-03-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20190808
2022-02-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种具有场限环结构的RESURF LDMOS器件 [P].

秦玉香 ;

张冰莹 ;

陈亮 .

中国专利 :CN112349764A ,2021-02-09

[2]

一种具有P型横向变掺杂区的高压RESURF LDMOS器件 [P].

秦玉香 ;

张冰莹 ;

陈亮 .

中国专利 :CN112397567A ,2021-02-23

[3]

一种具有N型与P型双重变掺杂顶层区的高压RESURF LDMOS器件 [P].

秦玉香 ;

张冰莹 ;

陈亮 .

中国专利 :CN112397568A ,2021-02-23

[4]

一种具有P型双重补偿结构的高压RESURF LDMOS器件 [P].

秦玉香 ;

张冰莹 ;

陈亮 .

中国专利 :CN112420804A ,2021-02-26

[5]

一种具有S型折叠沟道的Triple RESURF LDMOS器件 [P].

陈伟中 ;

严仪欣 ;

秦嘉玲 ;

曾祥伟 ;

吴傲 .

中国专利 :CN118763111A ,2024-10-11

[6]

一种具有埋氧场板的SOI LDMOS器件 [P].

王颖 ;

王祎帆 ;

于成浩 ;

曹菲 .

中国专利 :CN105932062B ,2016-09-07

[7]

一种抗单粒子烧毁的高压Resurf LDMOS器件结构 [P].

周锌 ;

蒋昊 ;

艾佳艺 ;

张广胜 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN120857568A ,2025-10-28

[8]

一种具有阶梯型沟槽的LDMOS器件 [P].

任敏 ;

林育赐 ;

谢驰 ;

李佳驹 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN107546274A ,2018-01-05

[9]

一种抗总剂量辐射加固LDMOS器件结构及制备方法 [P].

王成熙 ;

杜欣荣 ;

王清波 ;

赵杰 ;

卓青青 ;

温富刚 .

中国专利 :CN113410306A ,2021-09-17

[10]

一种具有延伸栅结构的SOI LDMOS器件 [P].

罗小蓉 ;

李鹏程 ;

田瑞超 ;

徐青 ;

张彦辉 ;

魏杰 ;

石先龙 ;

张波 .

中国专利 :CN104183646A ,2014-12-03

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