一种抗单粒子烧毁的高压Resurf LDMOS器件结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510867189.2

申请日：

2025-06-26

公开(公告)号：

CN120857568A

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

周锌蒋昊艾佳艺张广胜乔明张波

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H10D30/65

IPC分类号：

H10D30/01 H01L23/552 H10D62/10

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-28	公开	公开
2025-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/65申请日:20250626

共 50 条

[1]

一种抗单粒子烧毁的高压LDMOS器件结构 [P].

周锌 ;

陈浪涛 ;

吴中华 ;

疏鹏 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN115050812A ,2022-09-13

[2]

抗单粒子烧毁LDMOS器件 [P].

王颖 ;

于成浩 ;

曹菲 ;

包梦恬 .

中国专利 :CN110112217A ,2019-08-09

[3]

一种增强抗单粒子烧毁能力的LDMOS器件 [P].

陈卓俊 ;

徐江 .

中国专利 :CN118213405A ,2024-06-18

[4]

一种提升单粒子烧毁阈值的LDMOS器件 [P].

陈卓俊 ;

徐江 .

中国专利 :CN118263327A ,2024-06-28

[5]

一种抗单粒子辐射加固的SOI LDMOS器件结构及制备方法 [P].

贺欣 ;

陈宝忠 ;

薛东风 ;

王英民 ;

宋坤 ;

曹磊 ;

庞静 ;

刘存生 ;

刘如征 .

中国专利 :CN120529618A ,2025-08-22

[6]

一种用于提高抗单粒子烧毁效应的LDMOS器件 [P].

王颖 ;

杨洋 ;

李兴冀 ;

杨剑群 ;

曹菲 ;

包梦恬 .

中国专利 :CN113871482B ,2024-04-12

[7]

一种用于提高抗单粒子烧毁效应的LDMOS器件 [P].

王颖 ;

杨洋 ;

李兴冀 ;

杨剑群 ;

曹菲 ;

包梦恬 .

中国专利 :CN113871482A ,2021-12-31

[8]

一种高压抗单粒子辐照的PSOI LDMOS器件结构 [P].

方健 ;

刘颖 ;

雷一博 ;

王腾磊 ;

魏亚瑞 ;

江秋亮 ;

张波 .

中国专利 :CN113594256A ,2021-11-02

[9]

一种高压单粒子加固LDMOS器件 [P].

方健 ;

魏亚瑞 ;

雷一博 ;

江秋亮 ;

王腾磊 ;

刘颖 ;

金丽生 .

中国专利 :CN114551574A ,2022-05-27

[10]

一种抗单粒子烧毁的横向功率器件 [P].

李明宇 .

中国专利 :CN217405420U ,2022-09-09

← 1 2 3 4 5 →