一种抗单粒子烧毁的高压LDMOS器件结构

被引：0

申请号：

CN202210829425.8

申请日：

2022-07-15

公开(公告)号：

CN115050812A

公开(公告)日：

2022-09-13

发明(设计)人：

周锌陈浪涛吴中华疏鹏乔明张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20220715
2022-09-13	公开	公开

共 50 条

[1]

一种抗单粒子烧毁的高压Resurf LDMOS器件结构 [P].

周锌 ;

蒋昊 ;

艾佳艺 ;

张广胜 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN120857568A ,2025-10-28

[2]

抗单粒子烧毁LDMOS器件 [P].

王颖 ;

于成浩 ;

曹菲 ;

包梦恬 .

中国专利 :CN110112217A ,2019-08-09

[3]

一种增强抗单粒子烧毁能力的LDMOS器件 [P].

陈卓俊 ;

徐江 .

中国专利 :CN118213405A ,2024-06-18

[4]

一种抗单粒子烧毁的横向功率器件 [P].

李明宇 .

中国专利 :CN217405420U ,2022-09-09

[5]

一种具有抗单粒子效应的VDMOS器件 [P].

任敏 ;

蔡果 ;

杨珏琳 ;

曹晓峰 ;

陈哲 ;

李爽 ;

李泽宏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN105118862B ,2015-12-02

[6]

一种高压抗单粒子辐照的PSOI LDMOS器件结构 [P].

方健 ;

刘颖 ;

雷一博 ;

王腾磊 ;

魏亚瑞 ;

江秋亮 ;

张波 .

中国专利 :CN113594256A ,2021-11-02

[7]

一种提升单粒子烧毁阈值的LDMOS器件 [P].

陈卓俊 ;

徐江 .

中国专利 :CN118263327A ,2024-06-28

[8]

一种用于提高抗单粒子烧毁效应的LDMOS器件 [P].

王颖 ;

杨洋 ;

李兴冀 ;

杨剑群 ;

曹菲 ;

包梦恬 .

中国专利 :CN113871482B ,2024-04-12

[9]

一种用于提高抗单粒子烧毁效应的LDMOS器件 [P].

王颖 ;

杨洋 ;

李兴冀 ;

杨剑群 ;

曹菲 ;

包梦恬 .

中国专利 :CN113871482A ,2021-12-31

[10]

一种抗单粒子烧毁的GaN器件 [P].

王颖 ;

张飞 ;

包梦恬 ;

于成浩 ;

曹菲 ;

李兴冀 ;

杨剑群 ;

吕钢 .

中国专利 :CN111162117A ,2020-05-15

← 1 2 3 4 5 →