一种具有抗单粒子效应的VDMOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510522702.0

申请日：

2015-08-24

公开(公告)号：

CN105118862B

公开(公告)日：

2015-12-02

发明(设计)人：

任敏蔡果杨珏琳曹晓峰陈哲李爽李泽宏张金平高巍张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

葛启函

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20150824 授权公告日:20180515 终止日期:20210824
2015-12-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101640134614 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015105227020 申请日:20150824
2015-12-02	公开	公开
2018-05-15	授权	授权

共 50 条

[1]

一种具有抗单粒子效应的VDMOS器件 [P].

任敏 ;

林育赐 ;

苏志恒 ;

谢驰 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN107302025A ,2017-10-27

[2]

具有抗单粒子效应的VDMOS器件 [P].

李泽宏 ;

包慧萍 ;

任敏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN107331707A ,2017-11-07

[3]

一种抗单粒子效应VDMOS器件的形成方法及VDMOS器件 [P].

魏佳男 ;

罗婷 ;

唐昭焕 ;

谭开洲 ;

仵韵辰 ;

张培健 ;

陈仙 .

中国专利 :CN113838757B ,2024-02-06

[4]

一种抗单粒子效应VDMOS器件的形成方法及VDMOS器件 [P].

魏佳男 ;

罗婷 ;

唐昭焕 ;

谭开洲 ;

仵韵辰 ;

张培健 ;

陈仙 .

中国专利 :CN113838757A ,2021-12-24

[5]

一种抗单粒子辐照的超结VDMOS器件 [P].

任敏 ;

赵起越 ;

邓光敏 ;

张鹏 ;

宋询奕 ;

李泽宏 ;

张金平 ;

张波 .

中国专利 :CN102760770A ,2012-10-31

[6]

一种具有抗单粒子辐照能力的VDMOS器件 [P].

李泽宏 ;

林育赐 ;

谢驰 ;

罗蕾 ;

李佳驹 ;

任敏 ;

张波 .

中国专利 :CN107425071B ,2017-12-01

[7]

一种抗单粒子辐射的SiC VDMOS器件结构 [P].

魏轶聃 ;

刘国柱 ;

魏敬和 ;

赵伟 ;

魏应强 ;

许磊 ;

隋志远 ;

刘美杰 .

中国专利 :CN115346963A ,2022-11-15

[8]

一种抗单粒子辐射的SiC VDMOS器件结构 [P].

魏轶聃 ;

刘国柱 ;

魏敬和 ;

赵伟 ;

魏应强 ;

许磊 ;

隋志远 ;

刘美杰 .

中国专利 :CN115346963B ,2025-12-16

[9]

一种抗单粒子效应栅极损伤的功率VDMOS器件 [P].

张腾 ;

李士颜 ;

黄润华 ;

柏松 .

中国专利 :CN114709263A ,2022-07-05

[10]

一种抗单粒子效应栅极损伤的功率VDMOS器件 [P].

张腾 ;

李士颜 ;

黄润华 ;

柏松 .

中国专利 :CN114709263B ,2025-10-17

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