一种抗单粒子效应VDMOS器件的形成方法及VDMOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111277384.8

申请日：

2021-10-29

公开(公告)号：

CN113838757A

公开(公告)日：

2021-12-24

发明(设计)人：

魏佳男罗婷唐昭焕谭开洲仵韵辰张培健陈仙

申请人：

申请人地址：

400060 重庆市南岸区南坪花园路14号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L23552

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

李铁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20211029
2021-12-24	公开	公开

共 50 条

[1]

一种抗单粒子效应VDMOS器件的形成方法及VDMOS器件 [P].

魏佳男 ;

罗婷 ;

唐昭焕 ;

谭开洲 ;

仵韵辰 ;

张培健 ;

陈仙 .

中国专利 :CN113838757B ,2024-02-06

[2]

具有抗单粒子效应的VDMOS器件 [P].

李泽宏 ;

包慧萍 ;

任敏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN107331707A ,2017-11-07

[3]

一种具有抗单粒子效应的VDMOS器件 [P].

任敏 ;

蔡果 ;

杨珏琳 ;

曹晓峰 ;

陈哲 ;

李爽 ;

李泽宏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN105118862B ,2015-12-02

[4]

一种具有抗单粒子效应的VDMOS器件 [P].

任敏 ;

林育赐 ;

苏志恒 ;

谢驰 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN107302025A ,2017-10-27

[5]

一种抗单粒子效应栅极损伤的功率VDMOS器件 [P].

张腾 ;

李士颜 ;

黄润华 ;

柏松 .

中国专利 :CN114709263A ,2022-07-05

[6]

一种抗单粒子效应栅极损伤的功率VDMOS器件 [P].

张腾 ;

李士颜 ;

黄润华 ;

柏松 .

中国专利 :CN114709263B ,2025-10-17

[7]

VDMOS器件的形成方法 [P].

楼颖颖 ;

克里丝 .

中国专利 :CN102148164A ,2011-08-10

[8]

VDMOS器件的形成方法 [P].

季康 .

中国专利 :CN120417424A ,2025-08-01

[9]

一种抗单粒子辐射的SiC VDMOS器件结构 [P].

魏轶聃 ;

刘国柱 ;

魏敬和 ;

赵伟 ;

魏应强 ;

许磊 ;

隋志远 ;

刘美杰 .

中国专利 :CN115346963A ,2022-11-15

[10]

一种抗单粒子辐射的SiC VDMOS器件结构 [P].

魏轶聃 ;

刘国柱 ;

魏敬和 ;

赵伟 ;

魏应强 ;

许磊 ;

隋志远 ;

刘美杰 .

中国专利 :CN115346963B ,2025-12-16

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