一种高压抗单粒子辐照的PSOI LDMOS器件结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110951397.2

申请日：

2021-08-18

公开(公告)号：

CN113594256A

公开(公告)日：

2021-11-02

发明(设计)人：

方健刘颖雷一博王腾磊魏亚瑞江秋亮张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L23552

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

敖欢

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-02	公开	公开
2021-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20210818

共 50 条

[1]

一种高压单粒子加固LDMOS器件 [P].

方健 ;

魏亚瑞 ;

雷一博 ;

江秋亮 ;

王腾磊 ;

刘颖 ;

金丽生 .

中国专利 :CN114551574A ,2022-05-27

[2]

一种抗单粒子烧毁的高压Resurf LDMOS器件结构 [P].

周锌 ;

蒋昊 ;

艾佳艺 ;

张广胜 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN120857568A ,2025-10-28

[3]

一种抗单粒子烧毁的高压LDMOS器件结构 [P].

周锌 ;

陈浪涛 ;

吴中华 ;

疏鹏 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN115050812A ,2022-09-13

[4]

一种用于提高抗单粒子烧毁效应的LDMOS器件 [P].

王颖 ;

杨洋 ;

李兴冀 ;

杨剑群 ;

曹菲 ;

包梦恬 .

中国专利 :CN113871482B ,2024-04-12

[5]

一种用于提高抗单粒子烧毁效应的LDMOS器件 [P].

王颖 ;

杨洋 ;

李兴冀 ;

杨剑群 ;

曹菲 ;

包梦恬 .

中国专利 :CN113871482A ,2021-12-31

[6]

一种抗辐照双栅LDMOS器件结构 [P].

方健 ;

马红跃 ;

黎明 ;

雷一博 ;

卜宁 ;

张波 .

中国专利 :CN111987152B ,2024-01-26

[7]

一种抗辐照双栅LDMOS器件结构 [P].

方健 ;

马红跃 ;

黎明 ;

雷一博 ;

卜宁 ;

张波 .

中国专利 :CN111987152A ,2020-11-24

[8]

抗单粒子烧毁LDMOS器件 [P].

王颖 ;

于成浩 ;

曹菲 ;

包梦恬 .

中国专利 :CN110112217A ,2019-08-09

[9]

一种抗单粒子辐射加固的SOI LDMOS器件结构及制备方法 [P].

贺欣 ;

陈宝忠 ;

薛东风 ;

王英民 ;

宋坤 ;

曹磊 ;

庞静 ;

刘存生 ;

刘如征 .

中国专利 :CN120529618A ,2025-08-22

[10]

一种增强抗单粒子烧毁能力的LDMOS器件 [P].

陈卓俊 ;

徐江 .

中国专利 :CN118213405A ,2024-06-18

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