抗单粒子烧毁LDMOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910298966.0

申请日：

2019-04-15

公开(公告)号：

CN110112217A

公开(公告)日：

2019-08-09

发明(设计)人：

王颖于成浩曹菲包梦恬

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240

代理人：

朱月芬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20190415
2019-08-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种抗单粒子烧毁的高压LDMOS器件结构 [P].

周锌 ;

陈浪涛 ;

吴中华 ;

疏鹏 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN115050812A ,2022-09-13

[2]

一种增强抗单粒子烧毁能力的LDMOS器件 [P].

陈卓俊 ;

徐江 .

中国专利 :CN118213405A ,2024-06-18

[3]

一种抗单粒子烧毁的高压Resurf LDMOS器件结构 [P].

周锌 ;

蒋昊 ;

艾佳艺 ;

张广胜 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN120857568A ,2025-10-28

[4]

一种提升单粒子烧毁阈值的LDMOS器件 [P].

陈卓俊 ;

徐江 .

中国专利 :CN118263327A ,2024-06-28

[5]

一种抗单粒子烧毁的横向功率器件 [P].

李明宇 .

中国专利 :CN217405420U ,2022-09-09

[6]

平面栅功率MOSFET抗单粒子烧毁器件及制备方法 [P].

王颖 ;

罗佳豪 ;

曹菲 ;

李兴冀 ;

杨剑群 .

中国专利 :CN115117053A ,2022-09-27

[7]

一种用于提高抗单粒子烧毁效应的LDMOS器件 [P].

王颖 ;

杨洋 ;

李兴冀 ;

杨剑群 ;

曹菲 ;

包梦恬 .

中国专利 :CN113871482B ,2024-04-12

[8]

一种用于提高抗单粒子烧毁效应的LDMOS器件 [P].

王颖 ;

杨洋 ;

李兴冀 ;

杨剑群 ;

曹菲 ;

包梦恬 .

中国专利 :CN113871482A ,2021-12-31

[9]

一种抗单粒子烧毁的GaN器件 [P].

王颖 ;

张飞 ;

包梦恬 ;

于成浩 ;

曹菲 ;

李兴冀 ;

杨剑群 ;

吕钢 .

中国专利 :CN111162117A ,2020-05-15

[10]

抗单粒子烧毁的超结MOS器件结构 [P].

贾云鹏 ;

周新田 ;

贾国 ;

胡东青 ;

吴郁 ;

苏晓山 .

中国专利 :CN113471293A ,2021-10-01

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