抗单粒子烧毁的超结MOS器件结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110814800.7

申请日：

2021-07-19

公开(公告)号：

CN113471293A

公开(公告)日：

2021-10-01

发明(设计)人：

贾云鹏周新田贾国胡东青吴郁苏晓山

申请人：

申请人地址：

100124 北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

深圳市中科创为专利代理有限公司 44384

代理人：

冯建华;徐方星

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20210719
2022-03-08	授权	授权
2021-10-01	公开	公开

共 50 条

[1]

抗单粒子烧毁LDMOS器件 [P].

王颖 ;

于成浩 ;

曹菲 ;

包梦恬 .

中国专利 :CN110112217A ,2019-08-09

[2]

一种具有抗单粒子烧毁能力的功率MOS器件 [P].

李泽宏 ;

吴玉舟 ;

张建刚 ;

赖亚明 ;

韩天宇 ;

任敏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN104078509A ,2014-10-01

[3]

一种提高抗单粒子烧毁能力的槽栅MOS器件 [P].

任敏 ;

林育赐 ;

谢驰 ;

苏志恒 ;

李泽宏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN108352403A ,2018-07-31

[4]

一种抗单粒子烧毁的高压LDMOS器件结构 [P].

周锌 ;

陈浪涛 ;

吴中华 ;

疏鹏 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN115050812A ,2022-09-13

[5]

一种抗单粒子烧毁的GaN器件 [P].

王颖 ;

张飞 ;

包梦恬 ;

于成浩 ;

曹菲 ;

李兴冀 ;

杨剑群 ;

吕钢 .

中国专利 :CN111162117A ,2020-05-15

[6]

超结MOS器件 [P].

杨伟 ;

张静娴 ;

倪运春 ;

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN117832256A ,2024-04-05

[7]

超结MOS器件结构及其制备方法 [P].

罗杰馨 ;

薛忠营 ;

柴展 ;

徐大朋 ;

肖兵 .

中国专利 :CN110176499B ,2019-08-27

[8]

一种抗单粒子辐照的超结VDMOS器件 [P].

任敏 ;

赵起越 ;

邓光敏 ;

张鹏 ;

宋询奕 ;

李泽宏 ;

张金平 ;

张波 .

中国专利 :CN102760770A ,2012-10-31

[9]

一种抗单粒子烧毁的高压Resurf LDMOS器件结构 [P].

周锌 ;

蒋昊 ;

艾佳艺 ;

张广胜 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN120857568A ,2025-10-28

[10]

一种抗单粒子烧毁的功率器件及其制备方法 [P].

刘涛 ;

黄汇钦 .

中国专利 :CN116130521B ,2025-10-10

← 1 2 3 4 5 →