一种提高抗单粒子烧毁能力的槽栅MOS器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680057865.9

申请日：

2016-09-17

公开(公告)号：

CN108352403A

公开(公告)日：

2018-07-31

发明(设计)人：

任敏林育赐谢驰苏志恒李泽宏张金平高巍张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

代理机构：

成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232

代理人：

葛启函

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-13	授权	授权
2018-07-31	公开	公开
2018-08-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20160917

共 50 条

[1]

一种用于提高抗单粒子烧毁效应的LDMOS器件 [P].

王颖 ;

杨洋 ;

李兴冀 ;

杨剑群 ;

曹菲 ;

包梦恬 .

中国专利 :CN113871482A ,2021-12-31

[2]

一种用于提高抗单粒子烧毁效应的LDMOS器件 [P].

王颖 ;

杨洋 ;

李兴冀 ;

杨剑群 ;

曹菲 ;

包梦恬 .

中国专利 :CN113871482B ,2024-04-12

[3]

一种具有抗单粒子烧毁能力的功率MOS器件 [P].

李泽宏 ;

吴玉舟 ;

张建刚 ;

赖亚明 ;

韩天宇 ;

任敏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN104078509A ,2014-10-01

[4]

抗单粒子烧毁的超结MOS器件结构 [P].

贾云鹏 ;

周新田 ;

贾国 ;

胡东青 ;

吴郁 ;

苏晓山 .

中国专利 :CN113471293A ,2021-10-01

[5]

一种抗单粒子烧毁的高压LDMOS器件结构 [P].

周锌 ;

陈浪涛 ;

吴中华 ;

疏鹏 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN115050812A ,2022-09-13

[6]

一种提高GaN HEMT器件抗单粒子烧毁能力的结构 [P].

唐蕴 ;

周新田 ;

胡冬青 ;

吴郁 ;

贾云鹏 .

中国专利 :CN118763103A ,2024-10-11

[7]

一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件 [P].

陆江 ;

刘海南 ;

卜建辉 ;

蔡小五 ;

罗家俊 .

中国专利 :CN207993870U ,2018-10-19

[8]

一种用于提高抗单粒子烧毁能力的增强型GaN HEMT [P].

曹菲 ;

西志钰 ;

王颖 ;

黄火林 ;

宋延兴 ;

秦松菲 ;

张维 .

中国专利 :CN120018543A ,2025-05-16

[9]

一种抗单粒子烧毁的横向功率器件 [P].

李明宇 .

中国专利 :CN217405420U ,2022-09-09

[10]

一种碳化硅槽栅器件抗单粒子烧毁器件结构及制备方法 [P].

王颖 ;

陈德鑫 ;

曹菲 ;

包梦恬 .

中国专利 :CN118315372A ,2024-07-09

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