一种抗单粒子烧毁的GaN器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010002987.6

申请日：

2020-01-02

公开(公告)号：

CN111162117A

公开(公告)日：

2020-05-15

发明(设计)人：

王颖张飞包梦恬于成浩曹菲李兴冀杨剑群吕钢

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市杭州经济开发区白杨街道2号大街1158号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2920 H01L29778

代理机构：

北京汇信合知识产权代理有限公司 11335

代理人：

张焕响

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-15	公开	公开
2020-06-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20200102

共 50 条

[1]

一种抗单粒子烧毁的GaN型HEMT器件 [P].

黄义 ;

池天宇 ;

高升 ;

张红升 .

中国专利 :CN120417430A ,2025-08-01

[2]

抗单粒子烧毁LDMOS器件 [P].

王颖 ;

于成浩 ;

曹菲 ;

包梦恬 .

中国专利 :CN110112217A ,2019-08-09

[3]

一种提高GaN HEMT器件抗单粒子烧毁能力的结构 [P].

唐蕴 ;

周新田 ;

胡冬青 ;

吴郁 ;

贾云鹏 .

中国专利 :CN118763103A ,2024-10-11

[4]

一种具有抗单粒子烧毁能力的功率器件 [P].

王颖 ;

黄昊 ;

李兴冀 ;

杨剑群 ;

包梦恬 ;

曹菲 .

中国专利 :CN114171578A ,2022-03-11

[5]

一种具有抗单粒子烧毁能力的功率器件 [P].

王颖 ;

黄昊 ;

李兴冀 ;

杨剑群 ;

包梦恬 ;

曹菲 .

中国专利 :CN114171578B ,2025-03-25

[6]

一种抗单粒子烧毁的侧壁肖特基器件 [P].

李茂宾 .

中国专利 :CN215869400U ,2022-02-18

[7]

一种抗单粒子烧毁的横向功率器件 [P].

李明宇 .

中国专利 :CN217405420U ,2022-09-09

[8]

一种抗单粒子辐射加固的GaN器件 [P].

王颖 ;

程有忠 ;

曹菲 ;

包梦恬 ;

于成浩 .

中国专利 :CN111883593B ,2020-11-03

[9]

一种抗单粒子烧毁的高压LDMOS器件结构 [P].

周锌 ;

陈浪涛 ;

吴中华 ;

疏鹏 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN115050812A ,2022-09-13

[10]

一种增强抗单粒子烧毁能力的LDMOS器件 [P].

陈卓俊 ;

徐江 .

中国专利 :CN118213405A ,2024-06-18

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