超结MOS器件结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910371949.5

申请日：

2019-05-06

公开(公告)号：

CN110176499B

公开(公告)日：

2019-08-27

发明(设计)人：

罗杰馨薛忠营柴展徐大朋肖兵

申请人：

申请人地址：

201822 上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J2620室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2951 H01L21336

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20190506
2022-06-24	授权	授权
2022-08-23	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/78 变更事项:发明人变更前:罗杰馨薛忠营柴展徐大朋肖兵变更后:罗杰馨薛忠营柴展徐大朋
2019-08-27	公开	公开

共 50 条

[1]

超结MOS器件结构及其制备方法 [P].

罗杰馨 ;

薛忠营 ;

柴展 ;

徐大朋 ;

黄肖艳 .

中国专利 :CN110212026B ,2019-09-06

[2]

超结MOS器件及其制备方法 [P].

王宝剑 ;

尹小宝 .

中国专利 :CN119947155A ,2025-05-06

[3]

一种超结MOS器件及其制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105336777A ,2016-02-17

[4]

超结MOS器件及其制造方法 [P].

袁力鹏 ;

徐吉程 ;

宁波 .

中国专利 :CN107863378A ,2018-03-30

[5]

超结MOS器件 [P].

杨伟 ;

张静娴 ;

倪运春 ;

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN117832256A ,2024-04-05

[6]

一种低压超结沟槽MOS器件的制备方法及结构 [P].

刘厚超 ;

黄宇萍 ;

马一洁 ;

张雨 ;

苏亚兵 ;

苏海伟 .

中国专利 :CN115020240A ,2022-09-06

[7]

抗单粒子烧毁的超结MOS器件结构 [P].

贾云鹏 ;

周新田 ;

贾国 ;

胡东青 ;

吴郁 ;

苏晓山 .

中国专利 :CN113471293A ,2021-10-01

[8]

一种超结MOS器件及其制备方法 [P].

余快 ;

黄宗源 ;

谢良玉 ;

黎赞芳 .

中国专利 :CN119815888A ,2025-04-11

[9]

一种超结MOS器件及其制备方法 [P].

余快 ;

黄宗源 ;

谢良玉 ;

黎赞芳 .

中国专利 :CN119815888B ,2025-06-06

[10]

超结VDMOS的制备方法及其超结VDMOS器件 [P].

周宏伟 ;

任文珍 ;

张园园 ;

徐西昌 .

中国专利 :CN105489500A ,2016-04-13

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