超结MOS器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510009908.7

申请日：

2025-01-03

公开(公告)号：

CN119947155A

公开(公告)日：

2025-05-06

发明(设计)人：

王宝剑尹小宝

申请人：

瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区丹桂路999弄11号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/66 H10D62/10 H01L23/367

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250103
2025-05-06	公开	公开

共 50 条

[1]

超结MOS器件及其制造方法 [P].

袁力鹏 ;

徐吉程 ;

宁波 .

中国专利 :CN107863378A ,2018-03-30

[2]

超结MOS器件 [P].

杨伟 ;

张静娴 ;

倪运春 ;

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN117832256A ,2024-04-05

[3]

超结MOS器件结构及其制备方法 [P].

罗杰馨 ;

薛忠营 ;

柴展 ;

徐大朋 ;

肖兵 .

中国专利 :CN110176499B ,2019-08-27

[4]

超结MOS器件结构及其制备方法 [P].

罗杰馨 ;

薛忠营 ;

柴展 ;

徐大朋 ;

黄肖艳 .

中国专利 :CN110212026B ,2019-09-06

[5]

一种沟槽栅超结MOS器件及其制备方法 [P].

李平 .

中国专利 :CN120224728A ,2025-06-27

[6]

一种超结MOS器件及其制备方法 [P].

余快 ;

黄宗源 ;

谢良玉 ;

黎赞芳 .

中国专利 :CN119815888A ,2025-04-11

[7]

一种超结MOS器件及其制备方法 [P].

余快 ;

黄宗源 ;

谢良玉 ;

黎赞芳 .

中国专利 :CN119815888B ,2025-06-06

[8]

沟槽栅超结MOS器件 [P].

杨伟 ;

张旋 ;

倪运春 ;

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN118039670A ,2024-05-14

[9]

超结MOS器件及其形成方法 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN117393436A ,2024-01-12

[10]

MOS器件及其制备方法 [P].

何亚川 ;

郭振强 ;

黄鹏 ;

姜慧琴 ;

于双 ;

肖敬才 .

中国专利 :CN118471912A ,2024-08-09

← 1 2 3 4 5 →