超结MOS器件结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910371948.0

申请日：

2019-05-06

公开(公告)号：

CN110212026B

公开(公告)日：

2019-09-06

发明(设计)人：

罗杰馨薛忠营柴展徐大朋黄肖艳

申请人：

申请人地址：

201822 上海市嘉定区菊园新区环城路2222号1幢J2620室

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2906 H01L2978 H01L2128 H01L21336

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-06	公开	公开
2022-09-16	授权	授权
2019-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20190506

共 50 条

[1]

超结MOS器件结构及其制备方法 [P].

罗杰馨 ;

薛忠营 ;

柴展 ;

徐大朋 ;

肖兵 .

中国专利 :CN110176499B ,2019-08-27

[2]

超结MOS器件及其制备方法 [P].

王宝剑 ;

尹小宝 .

中国专利 :CN119947155A ,2025-05-06

[3]

超结器件结构 [P].

罗杰馨 ;

薛忠营 ;

柴展 ;

徐大朋 .

中国专利 :CN210015858U ,2020-02-04

[4]

超结MOS器件及其制造方法 [P].

袁力鹏 ;

徐吉程 ;

宁波 .

中国专利 :CN107863378A ,2018-03-30

[5]

超结器件结构及其制备方法 [P].

柴展 ;

罗杰馨 ;

薛忠营 ;

徐大朋 .

中国专利 :CN110212015A ,2019-09-06

[6]

超结器件结构及其制备方法 [P].

徐大朋 ;

罗杰馨 ;

柴展 ;

黄肖艳 .

中国专利 :CN114628493A ,2022-06-14

[7]

超结器件结构及其制备方法 [P].

徐大朋 ;

梁欢 ;

黄肖艳 ;

薛忠营 ;

罗杰馨 ;

柴展 .

中国专利 :CN110246888A ,2019-09-17

[8]

超结器件结构及其制备方法 [P].

徐大朋 ;

黄肖艳 ;

薛忠营 ;

罗杰馨 ;

柴展 .

中国专利 :CN110137245B ,2019-08-16

[9]

超结器件结构及其制备方法 [P].

徐大朋 ;

梁欢 ;

黄肖艳 ;

薛忠营 ;

罗杰馨 ;

柴展 .

中国专利 :CN110212030A ,2019-09-06

[10]

超结器件结构及其制备方法 [P].

柴展 ;

罗杰馨 ;

薛忠营 ;

徐大朋 .

中国专利 :CN110224017A ,2019-09-10

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