一种沟槽栅超结MOS器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311755870.5

申请日：

2023-12-19

公开(公告)号：

CN120224728A

公开(公告)日：

2025-06-27

发明(设计)人：

李平

申请人：

华润微电子（重庆）有限公司

申请人地址：

401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号

IPC主分类号：

H10D30/60

IPC分类号：

H10D62/10 H10D30/01

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

公开

国省代码：

重庆市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-27	公开	公开
2025-07-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/60申请日:20231219

共 50 条

[1]

沟槽栅超结MOS器件 [P].

杨伟 ;

张旋 ;

倪运春 ;

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN118039670A ,2024-05-14

[2]

一种沟槽栅MOS器件及其制备方法 [P].

马荣耀 ;

王若愚 ;

李平 ;

唐开锋 ;

王代利 ;

张新 ;

赵龙杰 ;

邓旻熙 ;

蒋泽 .

中国专利 :CN120603300A ,2025-09-05

[3]

一种沟槽栅MOS器件及其制备方法 [P].

李平 .

中国专利 :CN120882055A ,2025-10-31

[4]

沟槽栅超结MOSFET器件及其制备方法 [P].

徐承福 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN107591453A ,2018-01-16

[5]

一种屏蔽栅沟槽型MOS器件及其制备方法 [P].

陈开宇 .

中国专利 :CN117954497A ,2024-04-30

[6]

超结MOS器件及其制备方法 [P].

王宝剑 ;

尹小宝 .

中国专利 :CN119947155A ,2025-05-06

[7]

沟槽栅超结MOS结构 [P].

廖巍 ;

华路佳 .

中国专利 :CN223219399U ,2025-08-12

[8]

沟槽栅超结器件及其制造方法 [P].

肖胜安 ;

曾大杰 ;

李东升 .

中国专利 :CN107994074A ,2018-05-04

[9]

沟槽栅超结器件及其制造方法 [P].

范让萱 ;

缪进征 .

中国专利 :CN107331706A ,2017-11-07

[10]

沟槽栅超结器件及其制造方法 [P].

肖胜安 ;

曾大杰 ;

李东升 .

中国专利 :CN107994075B ,2018-05-04

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