一种沟槽栅MOS器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410472036.3

申请日：

2024-04-17

公开(公告)号：

CN120882055A

公开(公告)日：

2025-10-31

发明(设计)人：

李平

申请人：

华润微电子（重庆）有限公司

申请人地址：

401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D62/10 H10D30/01

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

公开

国省代码：

重庆市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-31	公开	公开
2025-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20240417

共 50 条

[1]

一种沟槽栅MOS器件及其制备方法 [P].

马荣耀 ;

王若愚 ;

李平 ;

唐开锋 ;

王代利 ;

张新 ;

赵龙杰 ;

邓旻熙 ;

蒋泽 .

中国专利 :CN120603300A ,2025-09-05

[2]

一种屏蔽栅沟槽型MOS器件及其制备方法 [P].

陈开宇 .

中国专利 :CN117954497A ,2024-04-30

[3]

一种沟槽栅超结MOS器件及其制备方法 [P].

李平 .

中国专利 :CN120224728A ,2025-06-27

[4]

一种沟槽型横向MOS器件及其制备方法 [P].

王帅 ;

黄国民 ;

肖璇 ;

叶俊 .

中国专利 :CN120264811A ,2025-07-04

[5]

一种分裂栅型沟槽MOS器件及其制备方法 [P].

张雪 ;

李雪梅 ;

桑雨果 .

中国专利 :CN113053738A ,2021-06-29

[6]

一种屏蔽栅沟槽MOS器件及其制备方法、芯片 [P].

景俊豪 .

中国专利 :CN117476746B ,2024-04-19

[7]

一种屏蔽栅沟槽MOS器件及其制备方法、芯片 [P].

景俊豪 .

中国专利 :CN117476746A ,2024-01-30

[8]

沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

陈铭杰 ;

钟泳生 ;

周天彪 ;

陈慧 .

中国专利 :CN118763121A ,2024-10-11

[9]

沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法 [P].

李辉斌 ;

李理 ;

陈铭杰 ;

钟泳生 ;

周天彪 ;

陈慧 .

中国专利 :CN118763121B ,2024-12-31

[10]

一种沟槽栅IGBT器件及其制备方法 [P].

王波 ;

张庆雷 ;

王天意 .

中国专利 :CN116632052B ,2024-02-09

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