一种屏蔽栅沟槽MOS器件及其制备方法、芯片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311811792.6

申请日：

2023-12-27

公开(公告)号：

CN117476746B

公开(公告)日：

2024-04-19

发明(设计)人：

景俊豪

申请人：

天狼芯半导体（成都）有限公司

申请人地址：

610000 四川省成都市高新区吉泰路5路88号香年广场T3栋4201室

IPC主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336 H01L27/088

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414

代理人：

阳方玉

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-25	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移IPC(主分类):H01L 29/06登记生效日:20250708变更事项:专利权人变更前权利人:天狼芯半导体（成都）有限公司变更后权利人:天狼芯半导体（杭州）有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:610000 四川省成都市高新区吉泰路5路88号香年广场T3栋4201室变更后权利人:310000 浙江省杭州市萧山区杭州空港经济区保税路西侧保税大厦193-6室（自主申报）
2024-02-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20231227
2024-01-30	公开	公开
2024-04-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种屏蔽栅沟槽MOS器件及其制备方法、芯片 [P].

景俊豪 .

中国专利 :CN117476746A ,2024-01-30

[2]

一种屏蔽栅沟槽型MOS器件及其制备方法 [P].

陈开宇 .

中国专利 :CN117954497A ,2024-04-30

[3]

屏蔽栅MOS器件及其制备方法、芯片 [P].

刘涛 .

中国专利 :CN117855253B ,2024-05-28

[4]

屏蔽栅MOS器件及其制备方法、芯片 [P].

刘涛 .

中国专利 :CN117855253A ,2024-04-09

[5]

一种沟槽栅MOS器件及其制备方法 [P].

马荣耀 ;

王若愚 ;

李平 ;

唐开锋 ;

王代利 ;

张新 ;

赵龙杰 ;

邓旻熙 ;

蒋泽 .

中国专利 :CN120603300A ,2025-09-05

[6]

一种沟槽栅MOS器件及其制备方法 [P].

李平 .

中国专利 :CN120882055A ,2025-10-31

[7]

屏蔽栅沟槽型MOS器件及其制造方法 [P].

王登 ;

徐西贤 ;

阚志国 .

中国专利 :CN117790292A ,2024-03-29

[8]

一种沟槽栅超结MOS器件及其制备方法 [P].

李平 .

中国专利 :CN120224728A ,2025-06-27

[9]

沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法 [P].

郭晓波 .

中国专利 :CN104576346B ,2015-04-29

[10]

屏蔽栅沟槽MOSFET器件及屏蔽栅沟槽MOSFET器件的制备方法 [P].

魏雪娇 ;

陈敏 ;

欧新华 ;

袁琼 .

中国专利 :CN120882048A ,2025-10-31

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