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一种超结MOS器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510287094.3
申请日：
2025-03-12
公开(公告)号：
CN119815888B
公开(公告)日：
2025-06-06
发明(设计)人：
余快 黄宗源 谢良玉 黎赞芳
申请人：
江西萨瑞半导体技术有限公司
申请人地址：
330000 江西省南昌市临空经济区儒乐湖大街955号临瑞青年公寓1号楼8楼811室
IPC主分类号：
H10D30/66
IPC分类号：
H10D62/10 H10D30/01
代理机构：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150
代理人：
肖娜娜
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
湖北省 鄂州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-29 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250312
2025-04-11 公开 公开
2025-06-06 授权 授权
共 50 条
[1]
一种超结MOS器件及其制备方法 [P]. 
余快 ;
黄宗源 ;
谢良玉 ;
黎赞芳 .
中国专利 :CN119815888A ,2025-04-11
[2]
超结MOS器件及其制备方法 [P]. 
王宝剑 ;
尹小宝 .
中国专利 :CN119947155A ,2025-05-06
[3]
超结MOS器件及其制造方法 [P]. 
袁力鹏 ;
徐吉程 ;
宁波 .
中国专利 :CN107863378A ,2018-03-30
[4]
一种沟槽栅超结MOS器件及其制备方法 [P]. 
李平 .
中国专利 :CN120224728A ,2025-06-27
[5]
超结MOS器件结构及其制备方法 [P]. 
罗杰馨 ;
薛忠营 ;
柴展 ;
徐大朋 ;
肖兵 .
中国专利 :CN110176499B ,2019-08-27
[6]
超结MOS器件结构及其制备方法 [P]. 
罗杰馨 ;
薛忠营 ;
柴展 ;
徐大朋 ;
黄肖艳 .
中国专利 :CN110212026B ,2019-09-06
[7]
一种超结MOS器件 [P]. 
刘道国 .
中国专利 :CN212461701U ,2021-02-02
[8]
超结MOS器件 [P]. 
杨伟 ;
张静娴 ;
倪运春 ;
潘嘉 ;
杨继业 .
中国专利 :CN117832256A ,2024-04-05
[9]
一种超结MOS器件及其制造方法 [P]. 
马万里 .
中国专利 :CN105336777A ,2016-02-17
[10]
半超结碳化硅MOS器件及其制备方法、芯片 [P]. 
乔凯 .
中国专利 :CN118800809A ,2024-10-18
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