一种低压超结沟槽MOS器件的制备方法及结构

被引：0

申请号：

CN202210924492.8

申请日：

2022-08-03

公开(公告)号：

CN115020240A

公开(公告)日：

2022-09-06

发明(设计)人：

刘厚超黄宇萍马一洁张雨苏亚兵苏海伟

申请人：

申请人地址：

201323 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2906 H01L2978

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

党蕾

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20220803
2022-09-06	公开	公开

共 50 条

[1]

沟槽栅超结MOS结构及制备方法 [P].

廖巍 ;

华路佳 .

中国专利 :CN119133251A ,2024-12-13

[2]

沟槽栅超结MOS结构 [P].

廖巍 ;

华路佳 .

中国专利 :CN223219399U ,2025-08-12

[3]

超结MOS器件结构及其制备方法 [P].

罗杰馨 ;

薛忠营 ;

柴展 ;

徐大朋 ;

肖兵 .

中国专利 :CN110176499B ,2019-08-27

[4]

一种低压槽栅超结MOS器件 [P].

李泽宏 ;

王为 ;

谢驰 .

中国专利 :CN109994550A ,2019-07-09

[5]

一种低压槽栅超结MOS器件 [P].

李泽宏 ;

王为 ;

谢驰 .

中国专利 :CN207993871U ,2018-10-19

[6]

一种沟槽栅超结MOS器件及其制备方法 [P].

李平 .

中国专利 :CN120224728A ,2025-06-27

[7]

沟槽栅超结器件的制造方法 [P].

肖胜安 ;

曾大杰 ;

李东升 .

中国专利 :CN107994076A ,2018-05-04

[8]

超结MOS器件结构及其制备方法 [P].

罗杰馨 ;

薛忠营 ;

柴展 ;

徐大朋 ;

黄肖艳 .

中国专利 :CN110212026B ,2019-09-06

[9]

沟槽栅超结MOS器件 [P].

杨伟 ;

张旋 ;

倪运春 ;

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN118039670A ,2024-05-14

[10]

一种超结MOS器件及其制造方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN105336777A ,2016-02-17

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