一种低压槽栅超结MOS器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721919088.2

申请日：

2017-12-30

公开(公告)号：

CN207993871U

公开(公告)日：

2018-10-19

发明(设计)人：

李泽宏王为谢驰

申请人：

申请人地址：

550000 贵州省贵阳市国家高新技术产业开发区贵阳国家高新区金阳科技产业园标准厂房附1号1层

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2940 H01L2906 H01L21336

代理机构：

贵阳中新专利商标事务所 52100

代理人：

刘楠

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-19	授权	授权

共 50 条

[1]

一种低压槽栅超结MOS器件 [P].

李泽宏 ;

王为 ;

谢驰 .

中国专利 :CN109994550A ,2019-07-09

[2]

沟槽栅超结MOS结构 [P].

廖巍 ;

华路佳 .

中国专利 :CN223219399U ,2025-08-12

[3]

一种槽栅型超结MOS半导体功率器件 [P].

陈利 ;

陈译 ;

陈彬 .

中国专利 :CN212907746U ,2021-04-06

[4]

一种超结MOS器件 [P].

刘道国 .

中国专利 :CN212461701U ,2021-02-02

[5]

一种低导通电阻低压槽栅MOS器件的制造方法 [P].

乔明 ;

张发备 ;

陈勇 ;

何林蓉 ;

张波 .

中国专利 :CN111354642B ,2020-06-30

[6]

沟槽栅超结MOS器件 [P].

杨伟 ;

张旋 ;

倪运春 ;

潘嘉 ;

杨继业 .

中国专利 :CN118039670A ,2024-05-14

[7]

一种槽栅超结器件 [P].

李泽宏 ;

杨梦琦 ;

王梁浩 ;

蒲小庆 ;

任敏 ;

张金平 ;

高巍 ;

张波 .

中国专利 :CN109065629B ,2018-12-21

[8]

一种低压超结沟槽MOS器件的制备方法及结构 [P].

刘厚超 ;

黄宇萍 ;

马一洁 ;

张雨 ;

苏亚兵 ;

苏海伟 .

中国专利 :CN115020240A ,2022-09-06

[9]

一种半超结MOS器件 [P].

杨朔 .

中国专利 :CN212010981U ,2020-11-24

[10]

一种具有双侧面超结槽栅LDMOS器件 [P].

陈伟中 ;

周铸 ;

秦海峰 .

中国专利 :CN113921611B ,2025-04-25

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