一种半超结MOS器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202020396574.6

申请日：

2020-03-25

公开(公告)号：

CN212010981U

公开(公告)日：

2020-11-24

发明(设计)人：

杨朔

申请人：

申请人地址：

200030 上海市徐汇区桂平路680号33幢303-45室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2118 H01L21336

代理机构：

合肥律众知识产权代理有限公司 34147

代理人：

黄珍玲

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-24	授权	授权

共 50 条

[1]

一种超结MOS器件 [P].

刘道国 .

中国专利 :CN212461701U ,2021-02-02

[2]

一种超结MOS器件 [P].

任敏 ;

李长泽 ;

马荣耀 ;

张新 ;

郑芳 ;

张雪璠 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN113224164A ,2021-08-06

[3]

一种低压槽栅超结MOS器件 [P].

李泽宏 ;

王为 ;

谢驰 .

中国专利 :CN207993871U ,2018-10-19

[4]

一种半超结SiC MOSFET器件 [P].

赖银坤 ;

徐守一 ;

蔡铭进 .

中国专利 :CN220934015U ,2024-05-10

[5]

超结MOS器件及其制造方法 [P].

袁力鹏 ;

徐吉程 ;

宁波 .

中国专利 :CN107863378A ,2018-03-30

[6]

一种外延沟道超结VDMOS器件 [P].

范捷 ;

万立宏 ;

王绍荣 .

中国专利 :CN208674125U ,2019-03-29

[7]

一种超结VDMOS器件 [P].

周宏伟 ;

任文珍 ;

张园园 ;

徐西昌 .

中国专利 :CN205789988U ,2016-12-07

[8]

半超结碳化硅MOS器件及其制备方法、芯片 [P].

乔凯 .

中国专利 :CN118800809A ,2024-10-18

[9]

半超结碳化硅MOS器件及其制备方法、芯片 [P].

乔凯 .

中国专利 :CN118800809B ,2025-01-24

[10]

一种超结MOS半导体器件 [P].

许一力 .

中国专利 :CN222750779U ,2025-04-11

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