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一种超结MOS半导体器件
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202421432478.7
申请日：
2024-06-21
公开(公告)号：
CN222750779U
公开(公告)日：
2025-04-11
发明(设计)人：
许一力
申请人：
北京清芯微储能科技有限公司
申请人地址：
100000 北京市大兴区北京经济技术开发区永昌北路9号1幢4层416-40号（集群注册）
IPC主分类号：
H10D62/10
IPC分类号：
H10D30/63
代理机构：
广州粤弘专利代理事务所(普通合伙) 44492
代理人：
徐冰
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-04-11 | 授权 | 授权 |