一种超结型半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021805759.4

申请日：

2020-08-25

公开(公告)号：

CN213483709U

公开(公告)日：

2021-06-18

发明(设计)人：

任杰马治军苏海伟

申请人：

申请人地址：

201323 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2906 H01L29786

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

党蕾

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-18	授权	授权

共 50 条

[1]

一种多层超结半导体器件的制备方法 [P].

任杰 ;

马治军 ;

苏海伟 .

中国专利 :CN111863623B ,2025-05-09

[2]

一种多层超结半导体器件的制备方法 [P].

任杰 ;

马治军 ;

苏海伟 .

中国专利 :CN111863623A ,2020-10-30

[3]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831B ,2025-05-16

[4]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831A ,2025-01-24

[5]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN120603304A ,2025-09-05

[6]

超结半导体器件 [P].

苑羽中 ;

张玉琦 ;

戴银 .

中国专利 :CN114512536B ,2022-05-17

[7]

超结半导体器件 [P].

韩廷瑜 ;

叶彪 ;

张耀权 .

中国专利 :CN217306511U ,2022-08-26

[8]

一种超结MOS半导体器件 [P].

许一力 .

中国专利 :CN222750779U ,2025-04-11

[9]

一种超结半导体器件 [P].

黄铭敏 .

中国专利 :CN108695372B ,2018-10-23

[10]

一种超结半导体器件 [P].

朱袁正 ;

李宗清 .

中国专利 :CN204706567U ,2015-10-14

← 1 2 3 4 5 →