一种多层超结半导体器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010868843.9

申请日：

2020-08-25

公开(公告)号：

CN111863623B

公开(公告)日：

2025-05-09

发明(设计)人：

任杰马治军苏海伟

申请人：

上海维安半导体有限公司

申请人地址：

201323 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D62/10 H10D30/67

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

党蕾

法律状态：

授权

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-09	授权	授权

共 50 条

[1]

一种多层超结半导体器件的制备方法 [P].

任杰 ;

马治军 ;

苏海伟 .

中国专利 :CN111863623A ,2020-10-30

[2]

一种超结型半导体器件 [P].

任杰 ;

马治军 ;

苏海伟 .

中国专利 :CN213483709U ,2021-06-18

[3]

制造超结半导体器件的方法 [P].

岛藤贵行 .

中国专利 :CN102254827A ,2011-11-23

[4]

半导体超结器件的制造方法 [P].

刘伟 ;

袁愿林 ;

徐真逸 ;

龚轶 .

中国专利 :CN113628968B ,2021-11-09

[5]

超结半导体器件及其制备方法 [P].

赵东艳 ;

肖超 ;

陈燕宁 ;

邵瑾 ;

付振 ;

刘芳 ;

田俊 ;

张泉 ;

尹强 .

中国专利 :CN115064446B ,2022-09-16

[6]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831B ,2025-05-16

[7]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN119364831A ,2025-01-24

[8]

超结半导体器件 [P].

苑羽中 ;

张玉琦 ;

戴银 .

中国专利 :CN114512536B ,2022-05-17

[9]

超结半导体器件 [P].

李宝杰 ;

任文珍 ;

丛茂杰 ;

陆珏 ;

徐旭东 .

中国专利 :CN120603304A ,2025-09-05

[10]

超结半导体器件的制备方法 [P].

钟圣荣 ;

王荣华 .

中国专利 :CN108258045A ,2018-07-06

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